深科首款市4.器件在100循环测试条件下的开关耐久性。

鹏沃8.器件在无光照情况下SET过程示意图。电堆全6.器件在不同存放时间的稳定性。

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鹏沃图2.器件阻变性能1.器件典型的伏安特性曲线。电堆全9.SET电压与光照强度的关系。

国首文章连接：ZhiliangChen,YuYu,LufanJin,YifanLi, QingyanLi,TengtengLi,JieLi,HongliangZhao,YatingZhang,HaitaoDai,JianquanYao.Broadbandphotoelectrictunablequantumdotbasedresistiverandomaccessmemory.DOI:10.1039/c9tc06230khttps://doi.org/10.1039/C9TC06230K。

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